華為閃存測試軟件(androbench)

華為一直都是以穩(wěn)定、可靠的誠信形象而樹立起來的手機品牌，突然刷出來了華為閃存門事件，這個話題不僅僅被炒熱了，同時androbench這款華為閃存測試軟件也火起來，可以測試你的手機閃存性能，看看是不是200+，sequential readI/O讀取模式、random write隨機寫入等參數(shù)，大家一起來看看你的手機吧，其他的手機也可以免費測試哦。

華為閃存測試軟件對應(yīng)參數(shù)

1、sequential read(這個結(jié)果通常表示一個更有序的I/O讀取模式。)

2、sequential write(在連續(xù)寫測試的希捷硬盤能實際執(zhí)行得更好。)

3、Ramdom Read(隨機讀取，使用鍵執(zhí)行隨機讀操作的最常見RPG方法是CHAIN操作。)

4、Random Write(一些重要的、JFS2特定的文件系統(tǒng)的性能增強功能包括，提前順序頁面讀取和延遲順序、隨機寫入。)

5、SQLite Insert(SQLite插入)

6、SQLite Update(SQLite更新)

7、SQLite DeLete(SQLite刪除)

時下熱門手機AndroBench跑分對比圖

最近非常流行在各種手機上進行AndroBench跑分，今天筆者整理了幾部當下比較熱門手機的AndroBench跑分，分別是三星S8、華為P10 Plus、華為Mate 9、vivo Xpaly6、一加3T、樂Pro3雙攝AI版，一起來看看吧。

三星S8

華為P10 Plus

華為mate9

vivo xplay 6

一加3T

樂PRO3雙攝

華為閃存門是什么

華為 P10 遭爆偷換料：混搭 UFS 2.1 與 eMMC 5.1

華為新旗艦 P10 日前傳出了風(fēng)波，指稱在部份出貨機型使用 UFS 2.1 快閃記憶卡，在其他機型卻采用了較舊的 eMMC 5.1。

P10 是華為的一個旗艦系列，主打與 Leica（徠卡）合作的雙鏡頭，以及較時尚活潑的外觀。

此次的事件起因于中國網(wǎng)友透過 App 自行測試，發(fā)現(xiàn)不同支 P10 的存儲器讀寫速率，大概有三種等級，因此懷疑華為將 UFS 2.1、UFS 2.0 以及 eMMC 5.1 三者混用出貨。但也有說法指出，表面上是 UFS 2.1、以及 UFS 2.0 之間的速度差，其實是因為華為分別用了 TLC、MLC 兩種 NAND 架構(gòu)，因此 P10 實際上只采用了 UFS 2.1、以及 eMMC 5.1 兩種標準。

▲ P10。（Source：華為）

由于 UFS 2.1 的讀寫速度，大約是 eMMC 5.1 的三倍，UFS 2.0 則是兩倍，讓花了同樣的錢、讀寫速率卻只有其他人一半不到的 P10 用戶不滿，紛紛在社交平臺測試自己的 P10，或是到余承東的微博抱怨，有點類似當初 iPhone 6s 混用三星與臺積電代工的 A9 SoC、以及 iPhone 6 混搭 TLC、MLC NAND 架構(gòu)的風(fēng)波。

實際上，華為并沒有在 P10 的規(guī)格表明訂自己用的是 UFS 2.1，事件爆發(fā)后，官方對于 P10 究竟采用哪種快閃記憶卡標準也三緘其口，問題是，在當初的上市記者會上，華為曾提到 P10 的自家 SoC“麒麟 960”（Kirin 960）支持了 UFS 2.1 標準，先給了消費者一些預(yù)期心理；eMMC 5.1 與 UFS 2.1 的效能差距，應(yīng)該也不是一般人能夠接受。

有消息指出，由于高通的 Snapdragon 835 首次支持 UFS 2.1，不若稍早的 Snapdragon 820 只支持到 UFS 2.0，導(dǎo)致 UFS 2.1 標準的快閃記憶卡開始大缺貨，讓較晚出貨的一部份 P10 只能臨時改搭 eMMC。包括 Mate 9、Mate 9 Pro 等機型，也面臨了類似的情形。

目前，華為已經(jīng)從自家 App Store 下架了多數(shù)網(wǎng)友用來測試讀寫速率的第三方 App“AndroBench”，即使從其他平臺下載來用，也會跳出“相容性不符”的警訊。華為允諾為讀寫速率特別慢的 P10 更換新機，也讓部份網(wǎng)友認為是變相承認 P10 用了等級較差的快閃記憶卡。

除了儲存記憶卡的換料風(fēng)波，P10 也另外傳出會針對存儲器換料，只有具備 UFS 2.1 速率的機型，才會搭載 LPDDR 4，其他則都使用 LPDDR 3。稍早，P10 也傳出因為供應(yīng)鏈問題，在較晚生產(chǎn)的 P10 不再于屏幕使用防指紋涂層，而是改用原廠自制的貼膜來代替。